Teitl: Experimental characterization of GaN transistor for load modulated applications with configurable drain bias voltage

Arianwyr
Ampleon Netherlands B.V.

Prif Ymchwiliwr

Manylion y Prosiect
Gwerth net y ffigur a ddyfarnwyd i Brifysgol Caerdydd: £154,560.00
Dyddiad dechrau: 01.10.2019
Dyddiad gorffen: 31.03.2023

Diweddarwyd y tro diwethaf ar 2020-06-07 am 06:02