Teitl: Integration of RF circuits with high speed GaN switching on silicon substrates

Arianwyr
Engineering and Physical Sciences Research Council

Prif Ymchwiliwr

Manylion y Prosiect
Gwerth net y ffigur a ddyfarnwyd i Brifysgol Caerdydd: £887,442.00
Dyddiad dechrau: 01.01.2018
Dyddiad gorffen: 31.01.2021

Diweddarwyd y tro diwethaf ar 2020-12-07 am 06:02