Teitl: Integration of RF circuits with high speed GaN switching on silicon substrates

Arianwyr
Engineering and Physical Sciences Research Council

Prif Ymchwiliwr

Manylion y Prosiect
Gwerth net y ffigur a ddyfarnwyd i Brifysgol Caerdydd: £443,721.00
Dyddiad dechrau: 01.01.2018
Dyddiad gorffen: 31.07.2020

Diweddarwyd y tro diwethaf ar 2020-31-03 am 06:02